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8月2日音讯,三星官方发布了一份时间表,展现了自家6nm、5nm、4nm芯片的研制状况:6nm制式芯片将于本年下半年投入量产;5nm制式芯片现已规划完结,下一年上半年将投入量产;4nm制式芯片正处在研制阶段,将于几个月内规划完结。

据悉,此次的三星6nm、5nm、4nm芯片,都是在7nm芯片的工艺基础上改善而来。三星发布的技术发展现意图显现,三星的芯片研制分为14nm、10nm、7nm、3nm这四个要害节点。其间,在3nm工艺之前,每个节点都有3至4代的内部迭代空间;而3nm则选用突破性的全新规划,或将成为短期内三星芯片的“终究形状”。

此前还有媒体报道,三星旗下工厂现已更新一批新的芯片出产设备,用于建立全新的5nm芯片出产线。据悉,该出产线耗资约6万亿韩元(约合人民币350亿元),估计在本年建立完结,下一年开端大批量出产。这条出产线经Cadence和Synopsys认证,选用了极紫外光刻(EUV)工艺技术,现在在业界较为抢先。

据悉,三星的5nm芯片与7nm比较,具有更小的面积和更高的晶体管密度。实际使用中,其逻辑功率将提高25%、整体性能将提高10%,而功耗将下降20%,往后或将广泛运用于5G、人工智能、物联网建立等范畴。

本文修改:张亦非

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